Да как же вы надоели!
Mar. 18th, 2010 02:30 amЭто ж полный пэ, какие вещи печатают в Nano Letters и теперь в ACS Nano!
Когда-то давно, в 2006 году, ранее упоминавшийся уже товарищ опубликовал аж в Nature статью об очень любопытном эффекте: согласно расчётам, если приложить к графеновой наноленте поперечное электрическое поле, она станет магнитной. Дело в том, что в такой наноленте на краях имеются неспаренные электроны, и в норме магнитные моменты электронов на разных краях направлены противоположно (суммарный момент равен нулю). А вот если приложить электрическое поле, то часть электронной плотности "перетягивается" с одного края на другой, и итоговый магнитный момент становится ненулевым.
Это довольно элегантная идея, но с ней есть две проблемы. Во-первых, по расчётам авторов, эффект наблюдается при очень сильных полях - порядка 0.1 V/nm, что уже близко ко всяким пробоям вакуума и прочим порогам ионизации (знаменитая полевая эмиссия). Во-вторых, в расчётах использовался приближённый метод, который сильно занижает ширину запрещённой зоны материалов, которая как раз напрямую определяет необходимую для проявления этого эффекта напряжённость поля (пороговую энергию). Разумеется, вскоре люди это заметили, посчитали более точным методом, и вот те раз - на самом деле эффект, увы, места не имеет. Резонанса это, естественно, никакого не получило (ещё б: именитый человек, престижный журнал), авторы той первой работы продолжают почивать на лаврах и считать другие подобные штуки своим неподходящим методом, на их работу все продолжают ссылаться - ну и так далее.
[На самом деле, проблемы даже три: скорее всего, края графеновых нанолент вообще устроены не так, как там предполагалось, и никакого магнетизма на них нет. Но на эту работу тоже пока все плюют.]
А теперь вот сегодня вышла статья китайцев. Те же яйца, только с другим материалом - оксидом цинка. И даже ладно, что никто пока из него таких структур не делал (надо будет - сделают, ок), но эти ребята уже не стесняются писать про поля напряжённостью 8 V/nm! Я, честно говоря, удивляюсь, как у них вообще получилось в таком поле что-то посчитать...

http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/nn901552b
Ну и вот ещё в нагрузку один опус от китайцев: http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/nl9020733 - от этого у меня вообще челюсть в своё время отвалилась.
Американское Химическое Общество жжот :(
Когда-то давно, в 2006 году, ранее упоминавшийся уже товарищ опубликовал аж в Nature статью об очень любопытном эффекте: согласно расчётам, если приложить к графеновой наноленте поперечное электрическое поле, она станет магнитной. Дело в том, что в такой наноленте на краях имеются неспаренные электроны, и в норме магнитные моменты электронов на разных краях направлены противоположно (суммарный момент равен нулю). А вот если приложить электрическое поле, то часть электронной плотности "перетягивается" с одного края на другой, и итоговый магнитный момент становится ненулевым.
Это довольно элегантная идея, но с ней есть две проблемы. Во-первых, по расчётам авторов, эффект наблюдается при очень сильных полях - порядка 0.1 V/nm, что уже близко ко всяким пробоям вакуума и прочим порогам ионизации (знаменитая полевая эмиссия). Во-вторых, в расчётах использовался приближённый метод, который сильно занижает ширину запрещённой зоны материалов, которая как раз напрямую определяет необходимую для проявления этого эффекта напряжённость поля (пороговую энергию). Разумеется, вскоре люди это заметили, посчитали более точным методом, и вот те раз - на самом деле эффект, увы, места не имеет. Резонанса это, естественно, никакого не получило (ещё б: именитый человек, престижный журнал), авторы той первой работы продолжают почивать на лаврах и считать другие подобные штуки своим неподходящим методом, на их работу все продолжают ссылаться - ну и так далее.
[На самом деле, проблемы даже три: скорее всего, края графеновых нанолент вообще устроены не так, как там предполагалось, и никакого магнетизма на них нет. Но на эту работу тоже пока все плюют.]
А теперь вот сегодня вышла статья китайцев. Те же яйца, только с другим материалом - оксидом цинка. И даже ладно, что никто пока из него таких структур не делал (надо будет - сделают, ок), но эти ребята уже не стесняются писать про поля напряжённостью 8 V/nm! Я, честно говоря, удивляюсь, как у них вообще получилось в таком поле что-то посчитать...

http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/nn901552b
Ну и вот ещё в нагрузку один опус от китайцев: http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/nl9020733 - от этого у меня вообще челюсть в своё время отвалилась.
Американское Химическое Общество жжот :(
no subject
Date: 2010-03-18 01:23 am (UTC)no subject
Date: 2010-03-18 07:33 am (UTC)Если вам о чём-то скажет, у меня студентка пыталась повторить эти самые первые расчёты, с "жалкими" 0.1 V/nm. У тех ребят использовался базис плоских волн, а у неё локализованный (МО ЛКАО) - там всё так перекашивает, что безотказный в обычных случаях DFT-пакет просто не в силах такое надругательство перенести.
Просто не читать китайские статьи - до такого я ещё не дошёл, пока всё же сперва смотрю абстракт, ну а потом уже в подозрительных случаях выдвигается гипотеза "опять китайцы", потом смотрю откуда авторы, и если гипотеза подтверждается, вот тогда уже - действительно не читаю :]
no subject
Date: 2010-03-18 09:14 am (UTC)no subject
Date: 2010-03-18 09:54 am (UTC)no subject
Date: 2010-03-18 09:29 am (UTC)А разве напряженность поля в веществе может быть 100 МВ/м, не говоря уж о китайских 8 ГВ/м?
no subject
Date: 2010-03-18 09:46 am (UTC)no subject
Date: 2010-03-18 09:58 am (UTC)http://cat.inist.fr/?aModele=afficheN&cpsidt=19886909
там заряды до 25 В (размер до 3.3 нм)
что скажешь ?
ибо это может быть причиной аггрегации
no subject
Date: 2010-03-18 08:51 pm (UTC)no subject
Date: 2010-03-19 06:46 am (UTC)no subject
Date: 2010-03-19 06:50 am (UTC)no subject
Date: 2010-03-19 07:01 am (UTC)Зацени задачу про летающие фуллерены.
no subject
Date: 2010-03-21 01:09 pm (UTC)